高亮度发光二极管中的电注入和光输出过程的理论分析

摘要：

通过对典型结构的高亮度发光二极管(HB-LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析,计算了LED的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系,结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大,较厚的顶层可以使器件的注入电流容易扩展、光容易耦合输出.优化设计后得到顶层厚度应该在49～98μm之间.最后给出器件外量子效率与顶层厚度的关系曲线,并预言以GaAs为吸收衬底的LED外量子效率最大不超过12.1%.

关键词：高亮度发光二极管、内量子效率、外量子效率、电流密度分布

所属期刊栏目：23

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：广东省广州市科技攻关项目1999-Z-035-01

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：255-260