10.3321/j.issn:1000-7032.2002.02.009
用巯基乙酸作稳定剂制备CdSe纳米晶的光学性质
以巯基乙酸为稳定剂制备了CdSe纳米晶,通过尺寸选择沉淀得到2nm到3nm之间不同尺寸的纳米晶,利用室温光吸收,光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱来研究了CdSe纳米团簇的光学性质.紫外-可见吸收谱给出了具有清晰激光特征的尖锐吸收边,这表明样品的尺寸分布很窄.光致发光研究表明,样品有两个发射带,一个具有较高能量位于吸收边,来自电子-空穴对从最低激发态能级弛豫后的辐射复合,另一个低能发射带归属于基质与纳米晶界面存在的俘获中心.PLE谱中有2个吸收带,分别是S-S和P-P跃迁.最后还给出了不同激发能量下的发光特性.
CdSe、纳米晶、光致发光、光致发光激发
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O472.3(半导体物理学)
Scientific Foundation for Postdoctor of China
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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145-151