氮化蓝宝石衬底上GaN薄膜的微结构与光学性质

摘要：

用透射电子显微镜(TEM),X射线衍射(XRD)和光荧光谱(PL)等测量手段研究了GaN薄膜的微结构和光学性质.样品是用光辐射加热MOCVD在蓝宝石衬底上制备的.随着衬底氮化时间的增加,扩展缺陷的密度显著增加.在位错密度增加一个数量级时,XRD摇摆曲线半宽度(FW-M)由11"增加到15",PL谱的黄光发射从几乎可忽略增加到带边发射强度的100倍.结合生长条件,我们对黄光与微结构的关系作了讨论.

关键词：氮化镓、微结构、光学性质

所属期刊栏目：23

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69876002

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：124-128