无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究

摘要：

采用光荧光谱(PL)和光调制反射谱(PR)的方法,研究了由Si3N4、SiO2电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱(MQws)结构的带隙蓝移.实验中Si3N4、SiO2作为电介质盖层,用来产生空位,再经过快速热退火处理(RTA).实验结果表明:多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关.带隙蓝移随退火温度的升高而加大.InP、Si3N4复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2复合盖层.而InGaAs、SiO2复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3N4复合盖层.同时,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致,因此,PR谱是用于测试带隙变化的另一种方法.

关键词：无杂质空位诱导无序、光荧光谱、光调制反射谱

所属期刊栏目：23

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金69886001

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：119-123