采用N2-RF等离子体氮化GaAs(001)

摘要：

研究了在MBE系统中,GaAs(001)表面的氮化过程.GaAs(001)表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2气流下.两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果.在打开N2发生器挡板的情况下,氮化导致GaAs(001)表面损伤,并且形成多晶结构.当增加N2气压时,损伤变得更严重.但是,在关闭N2发生器挡板的情况下,在500℃下,经过氮化将观察到(3×3)再构的RHEED花样,表面仍保持原子级的平整度.上述结果表明,不开N2发生器挡板,低温(500℃下)氮化将在GaN外延生长之前形成平整的薄层c-GaN.

关键词：GaN、氮化、分子束外延

所属期刊栏目：23

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69876002

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：114-118