10.3321/j.issn:1000-7032.2002.01.018
SA/PMMA的可擦除光存储特性研究
用在聚甲基丙稀酸甲脂(PMMA)中掺杂邻羟基亚甲基苯胺(SA)样品,实现了可见光区域的可擦除光存储.以Ar+激光488.0 nrn线为写入光,He-Ne激光632.8 nm线为读出光,研究了光栅生长的动力学过程.在写入和擦除过程中,均观察到了衍射信号随时间先增强后减弱的趋势.探讨了写入光和擦除光功率对衍射信号的影响.依据相干光调制形成相位光栅和光异构产生压力梯度引起分子扩散的光物理过程对光存储机制进行了探讨.
邻羟基亚甲基苯胺、光存储、全息光栅
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O438(光学)
吉林省科技厅应用基础研究项目19980524;吉林省杰出青年科学基金1-17-6
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
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