10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.025
用于Ⅲ族氮化物生长的紧配合喷淋头反应器
在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料.近年来,氮化物基的LED的制备成功,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力.人们对用MOCVD方法生长GaN基材料的兴趣日益高涨,特别是对多片、均匀生长的大尺寸反应器的要求日益迫切.本文概述了紧配合喷淋头反应器的设计思想和其特性.结合Ⅲ族氮化物生长对设备的相关要求,给出了这种设备运行的一些结果.这些结果表明,这种紧配合喷淋头反应器很适合在研究和产品生产中的GaN基材料结构的生长.
MOCVD、密配合喷淋头反应器、Ⅲ族氮化物生长
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TN312.8(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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