10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.022
GaN基白光LED的研制与特性
本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石(YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管(W-LED).在室温、正向电流20mA时,W-LED轴向亮度为170mcd,显色指数(CRI)达到82,色温(CCT)为7448K,CIE色坐标是(0.296,0.316),接近纯白色(0.33,0.33).随着注入电流的增强,测量并探讨了白光LED的发射光谱与发光强度的变化.
发光二极管、白光转换
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TN312.8(半导体技术)
国家自然科学基金69876002
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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