10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.021
GaN基紫外探测器的研究与制备
报道了用MOCVD方法在GaAs衬底上制作p-GaN/InGaN/n-GaN结构紫外探测器.我们对器件进行了测试分析.根据器件光伏信号强度和相位的测量结果,我们得到了该器件的能带结构图.我们还发现Ni/Au电极与p-GaN之间的接触表现出肖特基接触的特性.该探测器在入射光波长为375nm处的响应度大约为7.4×10-3A/W.
GaN、紫外探测器、MOCVD
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TN364(半导体技术)
国家自然科学基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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