10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.020
在ELO-GaN衬底上生长的AlGaInN高功率激光器
在ELO-GaN基层上用激光进行条状化处理,可以明显地改善AlGaInN激光二极管的位错密度和界面的粗糙度.其结果是可使激光二极管的寿命,在50℃,30mW输出的连续工作条件下超过1 000小时.
AlGaInN、半导体激光器、侧向外延氮化镓
22
TN312.8(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
83-86
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10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.020
AlGaInN、半导体激光器、侧向外延氮化镓
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TN312.8(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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