10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.018
MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析
用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延(MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为表面污染,而O形成一定的深度分布,从而影响氮化镓薄膜的电学和光学性质.
GaN、X光电子谱、俄歇电子谱、分子束外延
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TN312.8(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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