一种改进的用于GaN的X射线动力学衍射理论模型

摘要：

本文给出了X射线衍射动力学理论中偏离因子的普遍表达式,并且从理论上证明了此表达式比原有理论更加精确.一个InGaN/GaN多量子阱样品的X射线摇摆曲线被测量并且用此新的表达式进行了拟合,从拟合结果可以看出测量曲线与拟合曲线之间的拟合程度更加接近,因而得到了更加精确可信的材料结构参数.

关键词：动力学理论、偏差因子、HRXRD、氮化物半导体

所属期刊栏目：22

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69525407,69896260;科技部"攀登计划"G2000036601;国家高技术研究发展计划863计划863-307-11-302

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：71-74