电容-电压法研究AlxGa1-xN/GaN异质结压电极化效应

摘要：

制备了基于调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结的Pt/Al0.22Ga0.78N/GaN肖特基二极管.由于Al0.22Ga0.78N势垒层中的极化场不同,不同Al0.22Ga0.78N势垒层厚度的二极管的电容-电压特性显著不同.根据对样品电容-电压特性的数值模拟,在Al0.22Ga0.78N势垒层厚度为30nm和45nm的样品中,异质界面的极化电荷面密度为6.78×1012cm-2.在Al0.22Ga0.78N势垒层厚度为75nm的样品中,极化电荷面密度降为1.30×1012cm-2.这种极化电荷面密度的降低是由于GaN上Al0.22Ga0.78N势垒层由于厚度增加而产生应变的部分弛豫.本工作也提供了一种定量表征AlxGa1-xN/GaN异质结中极化电荷面密度的方法.

关键词：压电极化、异质结、电容-电压方法

所属期刊栏目：22

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69806006,69976041,69987001;国家重点基础研究发展计划973计划G20000683;国家高技术研究发展计划863计划;日本科学促进会资助项目JSPS-RFTF96P00201

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：61-66