10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.014
Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征
通过在调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属-铁电-半导体(MFS)结构.在高频电容-电压(C-V)特性测量中,发现Al0.22Ga0.78N/GaN异质界面二维电子气(2DEG)的浓度在-10V偏压下从1.56×1013cm-2下降为5.6×1012cm-2.由于PZT薄膜的铁电极化,在-10V偏压下可以观察到宽度为0.2V的铁电C-V窗口,表明在没有铁电极化方向反转的条件下,PZT/AlxGa1-xN/GaN MFS结构也能出现存储特性.因为2DEG带来的各种优点,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用.
C-V特性、Pb(ZrTi)O3、铁电薄膜、AlxGa1-xN/GaN
22
TN312.8(半导体技术)
国家自然科学基金69806006,69976014,69987001;国家重点基础研究发展计划973计划G20000683;国家高技术研究发展计划863计划;日本科学促进会资助项目JSPS-RFTF96P00201
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
57-60
