10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.012
InGaN基发光二极管和激光二极管
在InGaN发光二极管中,尽管存在着大量的位错,但其效率还是相当高的.用InGaN作为有源层是很重要的.在InGaN基LED的情况下,为产生光发射需要较高的激发功率.横向大面积外延生长的GaN激光二极管(LDs)是在厚的GaN衬底上外延制备成的.在温度250℃、30mW输出的连续工作状态下,其工作电流小于42mA,600℃、30mW输出的连续工作状态下的寿命约为15 000小时.这些结果表明,螺旋位错密度的降低延长了激光二极管的寿命.此外,良好的散热也是很重要的.
InGaN、发光二极管、激光二极管
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TN312.8(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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