10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.010
InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源.
InGaN、InN分凝、InN量子点、光致发光
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TN312.8(半导体技术)
国家自然科学基金69876002
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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