用N2-H2等离子体氮化GaAs衬底对ECR-PEMOCVD生长立方GaN的影响

摘要：

我们研究了采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECR-PEMOCVE)技术在GaAs(001)衬底上外延生长立方GaN的过程中衬底氮化条件对外延膜生长的影响.发现氮化时在氮等离子体中加入氢等离子体对于立方GaN薄膜生长具有显著影响.和氮化过程中不加入氢等离子体相比,氮化过程中加入氢等离子体生长出的外延膜其X射线衍射(XRD)半高宽(FWHM)可以最高降低40%以上.原子力显微镜(AFM)观察表明:在N2-H2混合等离子中氮化过的衬底上外延的缓冲层表面变得更为平滑,晶粒也变得粗大.最后,我们提出了一个化学模型对上述结果进行了分析和解释..

关键词：ECR-PEMOCVD、氮化、缓冲层、立方GaN、氢等离子体

所属期刊栏目：22

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69976008

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：24-28