10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.005
三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜.研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响.对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量,光致发光法测试其光学特性.实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量.对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明:不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式.根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型.
GaN、三甲基镓流量、缓冲层、MOVPE
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TN312.8(半导体技术)
国家自然科学基金60086001;国家重点基础研究发展计划973计划G20000683
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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