用MOVPE方法外延生长Si掺杂的立方相GaN

摘要：

用MOVPE方法采取一种两步生长过程生长了未掺杂和Si掺杂的GaN.在生长了一个20nm厚的缓冲层后,外延生长了1μm厚的立方GaN外延层.利用二次离子质谱测定了掺杂的程度.并用X射线衍射和光致发光测量来表征了未掺杂和Si掺杂GaN的结构和光学质量.

关键词：Si掺杂GaN、MOVPE、光致发光特性

所属期刊栏目：22

分类号：TN312.8(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4