Alq3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究

摘要：

用传统的真空蒸镀法制备了Alq3/ITO样品,并用X光电子能谱(XPS)研究了Alq3/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态.对Alq3/ITO样品的表面分析表明,在Alq3分子中,Al原子的束缚能(Eb)为70.7eV和75.1eV,分别对应于Al(0)和Al(Ⅲ)态;C原子的束缚能为285.8eV、286.3eV和286.8eV,分别对应于C-C、C-O和C-N键;N原子的主峰位于401.0eV,对应于C-N=C键;而O原子主要与H原子成键,其束缚能为532.8eV.为了研究Alo3/ITO的界面电子状态,我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀,当溅射时间分别为30,35,45分钟时进行XPS采谱分析.结果表明,随着氩离子束溅射时间增长,Al2p、Cls、Nls、Ols、In3d5/2和Sn3d5/2峰都向低束缚能方向有微小移动,且Al2p、C1s和Nls峰变弱,这是受ITO中扩散进入Alq3层的O、In和Sn原子的影响所致.

关键词：Alq3/ITO、表面和界面电子状态、XPS

所属期刊栏目：22

分类号：TN383.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60076023

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：351-356