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10.3321/j.issn:1000-7032.2001.04.004

(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱的光学特性研究

引用
设计并制备了一种新型的(CdZnTe,ZnS)/ZnTe复合量子阱结构.使CdZnTe量子阱中的激子有可能在短时间内隧穿到ZnS阱层,从而达到提高光双稳器件"关"速度的目的.并通过对发光特性的研究证实在我们设计的结构中横向激子隧穿的存在,从而为进一步研究超高速光开关提供了实验依据.

复合量子阱、激子隧穿

22

O472(半导体物理学)

国家攀登计划;国家自然科学基金69877020;国家自然科学基金

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

329-333

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1000-7032

22-1116/O4

22

2001,22(4)

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