用MOVPE和RF-MBE方法极性控制生长GaN

摘要：

本文报道了用低压MOVPE和RF-分子束外延法在蓝宝石衬底上作极性控制的GaN生长.以”双～单层”模型讨论了用MOVPE和MBE法在蓝宝石衬底上生长GaN的极性选择的机理,并对AlN在极性转换过程中的作用给出了适当的解释.通过极性控制的生长,使MBE法生长的GaN的表面形貌和电学特性都得到了改善;并对LP-MOVPE生长开发出了一种”三步生长法”,这样就可以用更多的外延方式在蓝宝石衬底上生长出高质量的GaN膜.

关键词：GaN外延生长、MOVPE、RF-MBE、极性控制

所属期刊栏目：22

分类号：TN312.8(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：324-328