蓝宝石衬底上RF-MBE生长的GaN中的极性控制和螺旋位错的降低

摘要：

近年来人们报道了用MBE方法生长GaN的飞速进展,利用RF-MBE方法可以获得高的GAN生长速率和高的电子迁移率.本文讨论了用RF-MBE方法在蓝宝石衬底上生长GaN过程中的极性控制和螺旋位错的降低.在充分氮化的蓝宝石衬底上直接生长GaN,使GaN的极性控制为N-极性,并用高温生长的AlN核化层实现GaN的Ga-极性.对于N-和Ga-极性的GaN这两种情况,高温生长的AlN中间迭层的引入,可以有效地抑制螺旋位错的扩散.位错的降低使GaN的室温电子迁移率得到提高,对于Ga-极性的GaN,其值为332cm2/V·s;而对于N-极性的GaN,其值为688cm2/V·s.

关键词：GaN、RF-MBE生长、极性控制、螺旋位错

所属期刊栏目：22

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：the Research for the Future program of the Japan Society for the promotion of Science;Fund of the Ministry of Education, Science, Sports and Culture

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：319-323