GaAs(111)衬底上生长的GaN的极性与生长方法和生长条件的关系

摘要：

研究了在GaAs(111)衬底上生长的六角相GaN的极性的相关关系.在高V/Ⅲ比的条件下用MOVPE和MOMBE方法生长的GaN的极性和GaAs衬底的极性一致;在(111)A-Ga表面上的生长层呈现Ga的极性,而在(n1)B-As表面上的生长层呈现N的极性.然而,在低的V/Ⅲ比,或采用一个～N中间层的条件下,用HVPE和MOMBE方法在GaAs(111)B表面上生长的GaN呈现出Ga的极性.目前,其原因尚不清楚,但是这些结果表明采用HVPE生长方法或用一高温AlN阻挡层可以得到高质量的GaN.

关键词：GaN、极性控制、生长方法、生长条件

所属期刊栏目：22

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：Grant-in-Aid for Scientific Research B09555002;the Ministry of Education,Science, Sport and Culture, Japan and .JSPS Research for the Future ProgramJSPS-RFTF96R16201

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：315-318