半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究

摘要：

在n+-GaAs(100)衬底上由分子束外延技术(MBE)生长了以”GaAs/AlAs”超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/”GaAs/AlAs”半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR),并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量.从实验获得的DBR的反射谱中得出,其反射谱中心波长为850nm,19周期此DBR的峰值反射率高达99.5%,反射带宽度为90nm左右.与此同时,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成15×15μm2正方形电流注入区对p型DBR的串联电阻进行了测量,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点.实验得出此p型DBR的串联电阻仅为50Ω左右.由此可见,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻.最后,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明,此DBR的串联电阻受温度的影响不大.

关键词：分布布拉格反射镜(DBR)、超晶格、分子束外延(MBE)、反射谱、串联电阻

所属期刊栏目：22

分类号：O472.3(半导体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：289-293