10.3321/j.issn:1000-7032.2001.03.011
紫外激光晶体Ce3+:LiSrAlF6发光温度依赖中的陷阱效应
在105~300K温区内,测量了X射线激发下Ce3+:LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖(I-T),在237~300K温区内发光强度有特殊的增强结构,结合105~300K温区内热释光的测量,证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致.通过对热释光曲线的进一步分析,得到深度分别为0.51eV和0.55eV的陷阱能级,这些陷阱主要源于Ce3+取代Sr2+所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F空位以及Li+空位所形成的本征缺陷.
Ce3+:LiSrAlF6晶体、发光强度的温度依赖、热释光、陷阱、紫外激光
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O482.31(固体物理学)
国家自然科学基金59732040
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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258-262