ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响

摘要：

利用深能级瞬态谱(DLTS)和光致发光谱(PL),研究了ZnO/p-Si异质结的两种不同温度(850℃,1 000℃)退火下的深能级中心.发现850℃退火的样品存在3个明显的深中心,分别为E1=Ev+0.21eV,E2=Ev+0.44eV,E3=Ev+0.71eV;而1 000℃退火样品仅存在一个E1=Ev+0.21eV的中心,且其隙态密度要比850℃退火的大.同时,测量了两个样品的PL谱.发现1 000℃退火可消除一些影响发光强度的深能级,对改善晶格结构,提高样品的发光强度有利.

关键词：深能级瞬态谱(DLTS)、PL谱、缺陷、新施主

所属期刊栏目：22

分类号：O482.3(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金59872037;安徽省自然科学基金98641550

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：218-222