有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究

摘要：

采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进行了测试.获得了合金层的组分、厚度、结晶品质及发光性能等信息.研究表明:在以N2作主载气的情况下,有机源的载气对InxGa1-xN膜的In组分和生长速率影响很大.生长温度为760℃时,以70ml/min的N2作有机源载气得到的InxGa1-xN膜的In组分为0.10,生长速率为6.0nm/min;而以70rnl/min的H2作有机源载气得到的InxGa1-xN薄膜的In组分为0.06,生长速率为10.6nm/min.本文首次报导了载气中含有少量H2能增大InxGa1-xN薄膜的生长速率的现象.

关键词：MOCVD、InGaN、卢瑟福背散射/沟道技术、光致发光

所属期刊栏目：22

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划715-001-0012;国家自然科学基金69676019;江西省跨世纪人才培养基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：213-217