高N2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN

摘要：

在N2气压为2.67×10-2pa,500℃的条件下,用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层.生长期间,In流量以3×1014到24×1014atoms/cm2@s范围内变化.用X-射线衍射(XRD)和反射高能电子衍射(RHEED)法对InN膜进行了表征.发现在生长的初始阶段,所生长的InN属立方相,但随着外延层厚度的增加出现了InN层由立方相向六角相的相变.X-射线倒易空间图形测量表明的在GaAs(001)衬底上生长的六角相InN其c-轴主要沿GaAs的〈111〉B方向取向.

关键词：RHEED、X-射线倒易空间图形、h-InN

所属期刊栏目：22

分类号：TN482.31(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金69876002

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：209-212