10.3321/j.issn:1000-7032.2001.02.020
平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型
将平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带阶研究。通过平均带阶参数形变势amv来研究带阶参数Emv随应变状态的变化关系,发现平均带阶参数Emv.av=Em-Ev.av在不同应变状态下基本上保持不变。因此,在应变层带阶参数Emv的计算中,只需计算其发生应变前体材料的带阶参数Emv.0值并引用形变势b和SO裂距△0的实验值,通过简便的代数运算即可得到应变层的Emv值,从而方便地预言不同应变层异质结的价带带阶。本文引入带隙形变势aGap来描述带隙改变量△Eg随应变状态的变化。由导带带阶和价带带阶的关系△Ec=△Eg+△Ev可以求出不同应变情况下的导带带阶。
带阶、平均键能、异质结
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O472.3(半导体物理学)
福建省自然科学基金E990005
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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