10.3321/j.issn:1000-7032.2001.02.013
In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响
研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示,随着In浓度的增加,GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善,低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaInNAs合金生长在GaAs衬底上,为补偿In和N原子尺度的差异,N原子更倾向于与In原子形成共价健。GaInNAs/GaAs单量子阱的光调制光谱证实了高能端发光峰来自本征的带边发光。
GaInNAs/GaAs量子阱、低于带边发光、本征发光
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O472.3(半导体物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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