10.3321/j.issn:1000-7032.2001.02.009
量子盘中的三阶非线性光学极化率
利用密度矩阵方法讨论了量子盘中的三阶非线性光学极化率,导出了近共振条件下的三次谐波的解析表达式,并以GaAs量子盘为例进行了具体的计算。结果表明,GaAs量子盘中的三阶非线性光学极化率要比GaAs量子阱的大几十倍。而且,选取适当的参量,可在吸收系数相对较小的情况下获得较大的折射率。
三阶非线性光学极化率、量子盘、密度矩阵算符
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O472.3(半导体物理学)
广东省自然科学基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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