使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究

摘要：

采用自行研制的立式MOCVD生长系统,以TMGa、TEGa为Ga源,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜.然后对样品进行室温光致发光光谱测试、范德堡霍尔测量和X射线双晶衍射测试.实验结果表明,缓冲层的Ga 源不同对GaN单晶膜质量影响很大;以TEGa为Ga源生长缓冲层及外延层,外延层不连续;以TMGa 为缓冲层Ga源、TEGa为外延层Ga源,在此得到室温载流子浓度为4.5×1017cm-3 ,迁移率为198cm2/V*s的电学性能较好的GaN单晶膜.研究结果表明:使用TEGa为外延层Ga源生长GaN,能有效地抑制不期望的蓝带的出现.

关键词：GaN、MOCVD、三乙基镓、三甲基镓

所属期刊栏目：22

分类号：O473(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划715-001-0012;国家自然科学基金69676019;江西省跨世纪人才培养基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：75-79