SiC纳米晶须的光致发光研究

摘要：

纳米碳化硅晶须作为一维半导体,其光学性质一直受到关注.研究结果显示,在Ar+激光(514.5nm)激发下,纳米碳化硅晶须室温下发出极其强烈的红光,这种发光导致喇曼光散射消失,瑞利弹性散射极度减弱.由于低维半导体的体表面大,对称平移受到一定程度的破坏,应该产生大量的缺陷,其发光也应该是表面发光或缺陷发光.但分析表明这可能是低维半导体碳化硅室温下首次发现的极其稳定的强束缚激子或表面发光现象.对其发光机制给予讨论.并且探讨了合适条件下出现喇曼受激辐射,初步认为喇曼散射截面的增大会促进喇曼受激辐射的产生.

关键词：SiC纳米晶须、低维半导体、光致发光、量子效应

所属期刊栏目：22

分类号：O472.3(半导体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：66-69