10.3321/j.issn:1000-7032.2001.01.010
电子横向运动对共振隧穿的影响
讨论了电子横纵方向运动耦合时的隧穿现象.对CdSe/Zn1-xCdxSe方形双势垒结构和抛物形双势垒结构的数值计算表明,在零偏压和非零偏压情况下,电子横向运动对共振隧穿的影响是不容忽略的 .
共振隧穿、耦合效应、透射系数
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O471.3(半导体物理学)
国家自然科学基金;教育部高校骨干教师资助计划;教育部留学回国人员科研启动基金;内蒙古人才工程项目
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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