GaN发光二极管的负电容现象

摘要：

采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性,由此可以同时测量结电容和串联电阻,并能判断二极管是否有界面层.首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下,GaN二极管的结电容具有负值,并且测试频率越低,正向偏压越大,负电容现象越显著.这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子-空穴复合发光有关.

关键词：GaN、发光二极管、负电容

所属期刊栏目：21

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：北京大学校科研和教改项目;国家重点实验室基金;中国科学院资助项目69789601;69876002

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：338-341