10.3321/j.issn:1000-7032.2000.04.011
ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的受激发射
77K下首次观测到了来自ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的受激发射过程.在组合超晶格中由于载流子转移过程的存在,受激发射出现在具有宽阱的超晶格中.
MOCVD、ZnCdSe-ZnSe组合超晶格、受激发射
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O472(半导体物理学)
科技部攀登计划;中国科学院资助项目;中国科学院实验室基金;国家科技攻关项目
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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334-337