Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05的真空紫外光谱

摘要：

利用高温固相法合成了Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05(x=0.6mol%)荧光体.结构测定表明所合成的荧光体为单斜晶系的X2型Y2SiO5相,空间群为B2/b.真空紫外光谱表明:随着Gd3+含量的增加,在192nm附近,出现了Gd3+的激发峰,且此峰的强度随着Gd3+含量的增加而增大;同时位于150～185nm之间的基质吸收带的强度也增大;而位于200～300nm之间的Eu的电荷迁移带的强度却随着Gd3+含量的增加而降低.

关键词：Y1.95-xGdxSiO5:Eu0.05、真空紫外光谱、基质吸收带

所属期刊栏目：21

分类号：O482.31(固体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：145-149