(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)PL谱的温度反常现象

摘要：

对与GaAs晶格匹配的四元合金(AlxGa1-x)0.51In0.49P(x=0.29)作了变温和变激发功率密度的PL谱研究,发现了PL谱峰值位置不随激发功率密度的变化而移动,但是出现了随温度变化的反常行为.从19K开始升温,PL谱峰先向红端移动,到55K左右开始出现蓝移,在84K左右蓝移达到最大,而后随着温度的继续升高,PL谱峰再次向红端移动.整个过程与温度呈Z-型关系,而不是通常半导体样品所表现的线性红移的热猝灭规律.这是首次对四元合金(AlxGa1-x)0.51In0.49P中PL谱的温度反常现象的报道,从另一方面证实了有序结构在(AlxGa1-x)0.51In0.49P中的存在.初步推测,这种温度反常现象是由于有序结构导致的超晶格效应所引起的.

关键词：Ⅲ-Ⅴ化合物、有序结构、光致发光

所属期刊栏目：21

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：中国科学院资助项目69776011;福建省自然科学基金;国家重点实验室基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：125-128