MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究

摘要：

获得高质量的n型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一.采用立式MOCVD系统生长GaN:Si单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流子浓度高达2×1019cm-3,迁移率达120cm2/V.s的n型GaN:Si单晶膜;并有效地抑制了GaN中由深能级引起的黄带发射,大大提高带边发光强度.研究结果还表明:随着Si掺杂量的增大,GaN:Si单晶膜的电子载流子浓度增加,迁移率下降,X光双晶衍射峰半高宽增大.首次报道了随掺Si量增大,GaN:Si单晶膜的生长速率显著下降的现象.

关键词：MOCVD、GaN、光致发光、X射线双晶衍射、Hall测量

所属期刊栏目：21

分类号：O474(半导体物理学)

资助基金：新材料领域项目715-001-0012;中国科学院资助项目69676019;江西省跨世纪人才培养基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：120-124