用CH3CSNH2钝化GaP表面特性的研究

摘要：

借助扫描电子显微镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)研究在不同处理条件下,GaP晶片表面硫化物钝化对其结构、形态以及表面形貌的影响.实验结果表明:经过CH3CSNH2溶液一定时间钝化处理后,GaP表面氧化物基本消失,形成薄的硫化物钝化层和较强的Ga-S、P-S键,并引起X光电子能谱的Ga、P芯能级化学位移,Ga的硫化物有较好的稳定性.

关键词：硫代乙酰胺、钝化、GaP、表面性质

所属期刊栏目：21

分类号：O472.1(半导体物理学)

资助基金：福建省自然科学基金;国家重点实验室基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：115-119