GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究

摘要：

用RBS/沟道技术对MOCVD生长的未故意掺杂的GaN的结构性能进行了测试,同时用霍耳方法测试了样品的电学性能.结果表明:GaN薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比χmin和其补偿度存在一定的依赖关系.补偿度小的样品,其χmin小;随着样品补偿度的增大,χmin也逐渐增大;但它们之间的关系变化是非线性的.对这些结果给予了一定的解释.

关键词：GaN、离子束沟道、补偿度

所属期刊栏目：21

分类号：O473(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金715-001-0012;中国科学院资助项目69676019;江西省跨世纪人才培养基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：109-114