MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究

摘要：

对实验室用MOCVD方法生长的未掺杂GaN单晶膜的发光性能进行了研究.结果表明: 在室温时未掺杂GaN单晶出现的能量为2.9eV左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系.高补偿GaN的蓝带发射强, 低补偿GaN的蓝带发射弱.对蓝带发光机理进行了探讨, 认为蓝带为导带电子跃迁至受主能级的发光(eA 发光).观察到降低GaN补偿度能提高GaN带边发射强度.

关键词：GaN、MOCVD、光致发光、补偿度

所属期刊栏目：21

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划715-001-0012;国家自然科学基金69676019;江西省跨世纪人才培养基金

在线出版日期：2007-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：29-32