10.3321/j.issn:1000-7032.2000.01.005
Be掺杂InAs自组织量子点的发光特性
首次细致地研究了InAs量子点中直接掺杂Be对其发光特性的影响.光致发光(PL)谱的研究表明, 较低掺杂浓度时, 发光峰蓝移, 同时伴随着发光谱线变窄.而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响, 发光强度明显变弱.相信该研究对InAs自组织量子点在器件应用方面有很重要的意义.
InAs量子点、光致发光、掺杂
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O472.3(半导体物理学)
科技部"攀登计划"6977601;19823001;国家自然科学基金6977601;19823001
2007-03-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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