温度对Si衬底上低压MOCVD外延生长ZnS薄膜质量的影响

摘要：

用低压MOCVD系统在(111)Si衬底上,用两步生长方法(改变Ⅱ/Ⅵ流量比)在300～400℃时外延生长了ZnS单晶薄膜.随着衬底温度的降低,ZnS薄膜结晶质量提高,并在300℃生长时获得结晶完整性较好的(111)ZnS单晶薄膜.文中讨论了衬底温度对薄膜质量的影响.

关键词：ZnS外延膜、Si衬底、低压MOCVD

所属期刊栏目：21

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金69896260;科技部"攀登计划";国家自然科学基金;中国科学院激发态物理开放研究实验室基金

在线出版日期：2007-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6-10