不同偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究

摘要：

首次研究了在室温和不同直流偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格结构的电调制反射谱(ER)的变化.当器件处于弱场范围时,随着电场的增加,ER谱的信号幅度增加,而线型不变;在强场区,随着电场的增加,ER谱的线型发生变化,激子跃迁能量红移,继续增加反向偏压出现来自于1c-2hh的禁戒跃迁,且其强度随反向偏压的增加迅速增加.不同偏压下组合超晶格结构的ER谱研究表明,势垒高度较低的超晶格结构中的激子较易受到电场的调制.

关键词：Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格、电调制反射谱、电光调制

所属期刊栏目：21

分类号：O484.41(固体物理学)

资助基金：科技部"攀登计划"69896260;国家自然科学基金59772036;69886003;69977019;中国科学院实验室基金;国家自然科学基金69896260

在线出版日期：2007-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5