10.3969/j.issn.1003-0107.2016.07.017
场效应管静电失效与防护措施研究
针对某产品中场效应管IRF840参数超标问题,通过理论分析和试验验证,IRF840失效机理为:G-S间遭受ESD,引起栅氧化层局部损伤,造成G-S间漏电流增大,绝缘电阻大大下降,参数超标。从人体静电防护、焊接工艺完善、器件加固设计等方面提出了改进措施,有效防止ESD对产品的损伤。
场效应管、失效、静电放电、措施
TN386.1(半导体技术)
2016-08-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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