输出对CMOS反相器SEL特性的影响评估

摘要：

文中通过计算机模拟的方法分析了器件在不同输出电平时,CMOS反相器单粒子闩锁(SEL)特件的变化.通过对器件输出电平不同时,不同衬底的CMOS反相器进行仿真研究,我们得出,P村底器件输出为高电平时比输出为低电平时得到的闩锁电流大,而N衬底器件在输出不同时,得到的闩锁电流大小相近.对下同种衬底的器件在输出不同时对SEL的敏感性几乎相同.在深亚微米的器件中,输出对器件SEL特性的影响均较大,需要在研究器件SEL特性时把其考虑在内.

关键词：单粒子闩锁、线能量传输、闩锁效应、电闩锁

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2009-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：47-50