10.3969/j.issn.1003-0107.2003.08.022
新颖型弹性膜硅加速度传感器芯片的设计
介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的制作工艺.通过控制不同敏感硅芯片弹性膜的厚度,即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器.
厚膜、硅芯片、加速度传感器
TP212.1(自动化技术及设备)
2005-08-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
49-50
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10.3969/j.issn.1003-0107.2003.08.022
厚膜、硅芯片、加速度传感器
TP212.1(自动化技术及设备)
2005-08-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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