咪唑对钴互连化学机械抛光的影响

摘要：

集成电路制造钴互连化学机械抛光粗抛过程要求较低的静态腐蚀速率,故需在抛光液中添加抑制剂以满足抛光要求.研究了抑制剂咪唑(IMH)对钴互连化学机械抛光的影响与作用机理.在弱碱环境下通过抛光与静态腐蚀实验研究咪唑对钴去除速率的影响,采用电化学、XPS实验研究咪唑对钴的缓蚀机理,采用AFM表征了咪唑对钴化学机械抛光后的表面粗糙度.结果表明,咪唑的添加有效地抑制了钴的去除速率与静态腐蚀速率,当咪唑质量分数为0.2％时,钴的去除速率由542.5 nm/min降至348.9 nm/min,静态腐蚀速率由60.2 nm/min降至1.5 nm/min,电化学腐蚀电流由62.4μA/cm2降至3.5μA/cm2.XPS结果表明,咪唑在钴表面生成钝化膜,保护了钴表面,抑制了钴的腐蚀.抛光后钴表面粗糙度由2.07 nm降至0.89 nm,表面质量得到提升.

关键词：钴、化学机械抛光、咪唑、去除速率、静态腐蚀速率、表面粗糙度

所属期刊栏目：42

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：河北省自然科学基金E2019202367

在线出版日期：2023-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：888-892,898